
Барлық өнімдер 100% UIS сынағы және RoHS сәйкес.
Траншеялық құрылымның қуатты транзисторлық технологиясын қолдану арқылы жасалған.
SivF160N120T - байыту режимі бар N-арналы қуат MOSFET.
- Номиналды кернеу: 100 В
- Номиналды ток: 160 А
- Максималды қарсылық RDS(қосу): 3,8 мОм
- Дренаждық ток: VGS=10 В кезінде 30 А дейін
- Өте төмен қарсылық және қақпа заряды (тип. Qg=93 nC)
- Барлық өнімдер 100% UIS сыналған және RoHS сәйкес
- Траншеялық құрылымның күштік транзисторлық технологиясын қолдану арқылы жасалған.
Жүктемені ауыстыру
PWM модуляциясы (PWM)
Қуатты басқару